Singh Chauhan, Yogesh (Autor)
GaN Transistor Modeling for RF and Power Electronics
Using The ASM-HEMT Model
Beschreibung
Produktdetails
| ISBN/GTIN | 978-0-323-99940-3 |
|---|---|
| Seitenzahl | 425 S. |
| Kopierschutz | Digital Rights Management |
| Dateigröße | 48215 Kbytes |