Luo, Peng (Autor)
GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements

Beschreibung
Produktdetails
ISBN/GTIN | 978-3-7369-8906-1 |
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Seitenzahl | 160 S. |
Kopierschutz | mit Wasserzeichen |
Dateigröße | 6624 Kbytes |