Schuster, Martin (Autor)
Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
Beschreibung
Produktdetails
| ISBN/GTIN | 978-3-7448-6643-9 |
|---|---|
| Seitenzahl | 176 S. |
| Kopierschutz | mit Wasserzeichen |