Park, Byung-Eun (Hrsg.)
Ishiwara, Hiroshi (Hrsg.)
Okuyama, Masanori (Hrsg.)
Sakai, Shigeki (Hrsg.)
Yoon, Sung-Min (Hrsg.)
Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories
Device Physics and Applications
Beschreibung
Produktdetails
| ISBN/GTIN | 978-94-024-0841-6 |
|---|---|
| Seitenzahl | 347 S. |
| Kopierschutz | mit Wasserzeichen |
| Dateigröße | 18039 Kbytes |