Li, Zhiqiang (Autor)
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

Beschreibung
Produktdetails
ISBN/GTIN | 978-3-662-49683-1 |
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Seitenzahl | 59 S. |
Kopierschutz | mit Wasserzeichen |
Dateigröße | 3905 Kbytes |