Li, Zhiqiang (Autor)
The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Beschreibung
Produktdetails
| ISBN/GTIN | 978-3-662-49683-1 |
|---|---|
| Seitenzahl | 59 S. |
| Kopierschutz | mit Wasserzeichen |
| Dateigröße | 3905 Kbytes |