Abu-Rahma, Mohamed H. (Autor)
Anis, Mohab (Autor)
Nanometer Variation-Tolerant SRAM
Circuits and Statistical Design for Yield
Beschreibung
Produktdetails
| ISBN/GTIN | 978-1-4614-1749-1 |
|---|---|
| Seitenzahl | 172 S. |
| Kopierschutz | mit Wasserzeichen |
| Dateigröße | 9624 Kbytes |